FDMS86263P Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
Hoja de datos
5,691En existencias
6,000En pedido
Cinta cortada
S/17.44
S/8.95
S/8.10
S/6.89
Envase tipo carrete
S/6.50
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT Power-56-8 P-Channel 1 Channel 150 V 22 A 42 mOhms 25 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET -150V 53.0 MOHM PQFN56
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Envase tipo carrete
S/7.36
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PQFN-8 P-Channel 1 Channel 150 V 22 A 53 mOhms 25 V 4 V 45 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel