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FDMS0310AS-NC

Name: onsemi FDMS0310AS-NC
Brand: onsemi
SKU: 863-FDMS0310AS-NC
Price: 5.64 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-FDMS0310AS-NC

Fabricante N.º:

FDMS0310AS-NC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT8 N 30/20 SYNCFET

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PQFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	27 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	41 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3.2 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.9 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: Taiwán

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench^® SyncFET™ MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications and reduce on-state resistance. The N-Channel PowerTrench SyncFET MOSFETs utilize silicon technology to enhance performance and lower overall system costs. With an integrated Schottky diode, these onsemi N-Channel PowerTrench SyncFET MOSFETs offer similar performance (high power and current handling) of a separate MOSFET and Schottky rectifier in one package. This integration reduces space by as much as 50% and provides cost savings and manufacturing throughput (or "time") savings. Applications can include notebooks, servers, telecom, DC-DC buck converters, high-efficiency DC-DC switch-mode power supplies, and synchronous rectifiers for DC-DC converters.

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

Obtenga más información

NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

Obtenga más información

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

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NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

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NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

This device offers a low Q_RR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package.

Obtenga más información

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/2.31	S/6,930.00

FDMS0310AS-NC

Fabricante: onsemi

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT8 N 30/20 SYNCFET

Especificaciones

Documentos (1)

Hoja de datos

Cumplimiento de productos y comercio

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N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFETs

PRODUCTOS DESTACADOS ONSEMI

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Fabricante:

onsemi

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT8 N 30/20 SYNCFET

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