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DMT10H072LFDFQ-7

Name: Diodes Incorporated DMT10H072LFDFQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT10H072LFDFQ-7
Price: 3.23 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

621-DMT10H072LFDFQ-7

Fabricante N.º:

DMT10H072LFDFQ-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

Hoja de datos:

DMT10H072LFDFQ-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Plazo de entrega de fábrica:: 24

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/3.23	S/3.23
	S/1.99	S/19.90
	S/1.30	S/130.00
	S/0.993	S/496.50
	S/0.895	S/895.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.743	S/2,229.00
	S/0.685	S/4,110.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	U-DFN2020-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	62 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	2.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.8 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.1 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	12.3 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3 ns
Peso de la unidad:	65 mg

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Hoja de datos

DMT10H072LFDFQ-7 Hoja de datos (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Automotive MOSFETs

Diodes Incorporated Automotive MOSFETs meet the stringent requirements of the AEC-Q101 reliability standard of the Automotive Electronics Council. Products with a 'Q' suffix indicate the product is Automotive grade. This means the Diodes Incorporated device has passed the rigorous AEC-Q101 standard and is fully supported for Automotive applications. The MOSFETs support customers with the Production Part Approval Process (PPAP) and TS16949-approved manufacturing sites.