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DMG4468LK3-13

Name: Diodes Incorporated DMG4468LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG4468LK3-13
Price: 3.39 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMG4468LK3-13

Fabricante N.º:

DMG4468LK3-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A

Hoja de datos:

DMG4468LK3-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/3.39	S/3.39
	S/2.10	S/21.00
	S/1.36	S/136.00
	S/1.04	S/520.00
	S/0.942	S/942.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/0.802	S/2,005.00
	S/0.732	S/3,660.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	9.7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.05 V
Qg - Carga de puerta:	18.85 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.68 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.01 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	8 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14.53 ns
Serie:	DMG4468
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18.84 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.46 ns
Peso de la unidad:	330 mg

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Hoja de datos

DMG4468LK3-13 Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-10-15 (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMG44x & DMG48x Enhancement Mode MOSFETs

The Diodes Inc. DMG44x and DMG48x Enhancement Mode MOSFETs are high-reliability N-channel enhancement mode MOSFETs. These DMG44x and DMG48x enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance, low input capacitance, fast switching speed, and low input/output leakage.