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DMG1016V-7

Name: Diodes Incorporated DMG1016V-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG1016V-7
Price: 1.87 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMG1016V-7

Fabricante N.º:

DMG1016V-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563

Hoja de datos:

DMG1016V-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/1.87	S/1.87
	S/1.16	S/11.60
	S/0.732	S/73.20
	S/0.549	S/274.50
	S/0.487	S/487.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.362	S/1,086.00
	S/0.331	S/1,986.00
	S/0.304	S/2,736.00
	S/0.292	S/7,008.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-563-6
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	870 mA, 640 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	400 mOhms, 700 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	500 mV
Qg - Carga de puerta:	736.6 pC, 622.4 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	530 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	12.3 ns, 20.7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7.4 ns, 8.1 ns
Serie:	DMG1016
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	26.7 ns, 28.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.1 ns, 5.1 ns
Peso de la unidad:	6 mg

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Hoja de datos

DMG1016V-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMx Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMx series enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance and fast switching, making them ideal for high efficiency power management applications. Diodes Incorporated DMx enhancement mode MOSFETs are also optimized for motor control, backlighting, and DC-DC converter applications. Diodes Incorporated DMx series includes complementary dual, complementary pair, P-channel, and N-channel enhancement mode MOSFETs.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.