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DIF120SIC028

Name: Diotec Semiconductor DIF120SIC028
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIF120SIC028
Price: 222.57 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-DIF120SIC028

Fabricante N.º:

DIF120SIC028

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

DIF120SIC028 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/222.57	S/222.57
	S/174.03	S/1,740.30
	S/104.36	S/12,523.20
510	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	118 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	28 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	373 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	715 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DIF120SIC028
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	49 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	45 S
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	104 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	156 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	156 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.