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DF2B5M4ASL,L3F

Name: Toshiba DF2B5M4ASL,L3F
Brand: Toshiba
SKU: 757-DF2B5M4ASLL3F
Price: 0.89 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-DF2B5M4ASLL3F

Fabricante N.º:

DF2B5M4ASL,L3F

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Bi-Dir ESD 2A; 3.6V SOD-962 (SL2)

Hoja de datos:

DF2B5M4ASL,L3F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/0.895	S/0.90
	S/0.588	S/5.88
	S/0.261	S/26.10
	S/0.245	S/122.50
	S/0.226	S/226.00
	S/0.222	S/1,110.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	S/0.21	S/2,100.00
	S/0.191	S/3,820.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS
RoHS:
Polaridad:	Bidirectional
Número de canales:	1 Channel
Voltaje en funcionamiento:	3.6 V
Estilo de terminación:	SMD/SMT
Voltaje de fijación:	20 V
Tensión de disparo:	5 V
Paquete / Cubierta:	SOD-962-2
Ipp - Corriente máxima de pulso:	2 A
Pppm - Disipación de potencia máxima de pulsos:	30 W
Cd - Capacidad en diodos:	0.15 pF
Vesd - Contacto de voltaje ESD:	16 kV
Vesd - Espacio de aire de voltaje ESD:	16 kV
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Voltaje de alimentación operativo:	3.6 V
Producto:	ESD Suppressors
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Peso de la unidad:	0.200 mg

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Hoja de datos

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Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411029
ECCN:: EAR99

DF2Bx ESD Protection Diodes

Toshiba DF2Bx ESD Protection Diodes are designed to protect semiconductor devices used in mobile device interfaces and other applications against static electricity and noise. These diodes utilize snapback characteristics to provide low dynamic resistance and superior protective performance. The DF2Bx ESD protection diodes are suitable for use with a 3.3V/5V signal line. These didoes come in a compact package that is suitable for use in high-density board layouts such as on mobile devices. Typical applications include smartphones, tablets, notebook PCs, and desktop PCs.

DF2BxM4ASL ESD Protection Diodes

Toshiba DF2BxM4ASL ESD Protection Diodes protect semiconductor devices like mobile device interfaces and other applications against static electricity and noise. These ESD protection diodes utilize snapback characteristics, providing low dynamic resistance and superior protective performance. The DF2BxM4ASL diodes optimum the high-speed signal application for low capacitance performance. These ESD protection diodes are stored at -55°C to 150°C. The Toshiba DF2BxM4ASL diodes function at 150°C junction temperature, 30W peak pulse power, and 2A peak pulse current. Typical applications include smartphones, tablets, notebook PCs, and desktop PCs.

Next-Generation ESD Protection Diodes

Toshiba Next-Generation ESD Protection Diodes are used for power supply circuits in mobile devices such as smartphones and wearable devices. A choice of operating voltages (3.6V, 5.5V, 12.6V) and packages (SOD962, SL2, SOD963, CST2C, SOT553, USC, and DFN10) provides flexible options for realizing ESD protection against static electricity and noise in various designs.