CDF56G6511N TR13 PBFREE

Name: Central Semiconductor CDF56G6511N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDF56G6511NTR13P
Price: 19.11 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

610-CDF56G6511NTR13P

Fabricante N.º:

CDF56G6511N TR13 PBFREE

Fabricante:

Central Semiconductor

Descripción:

GaN FETs 650V, 11A, N-Channel GaN FET

Hoja de datos:

CDF56G6511N TR13 PBFREE Hoja de datos (PDF)

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	S/19.11	S/19.11
	S/14.87	S/148.70
	S/10.70	S/1,070.00
	S/10.43	S/5,215.00
	S/9.89	S/9,890.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/8.49	S/21,225.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Central Semiconductor
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	11.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	190 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	2.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	84 W
Modo canal:	Depletion
Marca:	Central Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Frecuencia de trabajo máxima:	100 kHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo de retardo de apagado típico:	1.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	1.4 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.