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BSS138BKAHZGT116

Name: ROHM Semiconductor BSS138BKAHZGT116
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSS138BKAHZGT116
Price: 1.95 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-BSS138BKAHZGT116

Fabricante N.º:

BSS138BKAHZGT116

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V .4A

Hoja de datos:

BSS138BKAHZGT116 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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En pedido:: 11,900

Se espera el 23/02/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 36

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S/-.--

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S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/1.95	S/1.95
	S/1.31	S/13.10
	S/0.821	S/82.10
	S/0.588	S/294.00
	S/0.502	S/502.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.424	S/1,272.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	400 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	680 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	350 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	22 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	17 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.6 ns
Alias de las piezas n.º:	BSS138BKAHZG

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Hoja de datos

BSS138BKAHZGT116 Hoja de datos

Specification Sheets

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

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