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BSH205G2VL

Name: Nexperia BSH205G2VL
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSH205G2VL
Price: 1.91 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-BSH205G2VL

Fabricante N.º:

BSH205G2VL

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.3A

Hoja de datos:

BSH205G2VL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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En pedido:: 29,979

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Plazo de entrega de fábrica:: 16

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S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/1.91	S/1.91
	S/1.37	S/13.70
	S/0.864	S/43.20
	S/0.771	S/77.10
	S/0.537	S/537.00
	S/0.416	S/1,040.00
	S/0.378	S/1,890.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	S/0.378	S/3,780.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	170 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	950 mV
Qg - Carga de puerta:	6.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	890 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934068496235
Peso de la unidad:	8 mg

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Hoja de datos

BSH205G2VL Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET

Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The device employs Trench MOSFET technology and offers a low threshold voltage with very fast switching. The BSH205G2 MOSFET is ideal for applications like relay drivers, high-speed line drivers and switching circuits.

SOT23 Surface-Mounted Package Products

Nexperia SOT23 Surface-Mounted Package Products are contained in a plastic, surface-mounted, three terminals, 1.9mm pitch, 2.9mm x 1.3mm x 1mm package. This mainstay package in semiconductors was introduced in 1969 and quickly became an industry standard. The SOT23 encapsulates an extensive range of diodes, bipolar transistors, MOSFETs, and ESD protection devices within Nexperia's portfolio. The SOT23 package has been a constant for the last 50 years, leading to several offspring, such as the SOT223 and SOT323.