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BSC112N06LDATMA1

Name: Infineon BSC112N06LDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC112N06LDATMA1
Price: 8.33 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSC112N06LDATMA1

Fabricante N.º:

BSC112N06LDATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Hoja de datos:

BSC112N06LDATMA1 Hoja de datos (PDF)

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Plazo de entrega de fábrica:: 8

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S/-.--

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S/-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/8.33	S/8.33
	S/5.33	S/53.30
	S/3.61	S/361.00
	S/2.87	S/1,435.00
	S/2.69	S/2,690.00
	S/2.60	S/6,500.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	S/2.56	S/12,800.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	55 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	65 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns
Serie:	BSC112N06
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	51 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Alias de las piezas n.º:	BSC112N06LD SP002594372

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ Dual-Channel Super Cool Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Dual-Channel Super Cool Power MOSFETs are N-channel power transistors in a SuperSO8 package with dual-cool capability for enhanced thermal performance. The Infineon OptiMOS Power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density, and cost-effectiveness. These devices feature low on-state resistance (R_DS(on)) and low reverse recovery charge (Q_rr), increasing power density while improving robustness and system reliability. The +175°C rating facilitates designs with either more power at a higher operating junction temperature or a longer lifetime at the same operating junction temperature.