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Depletion Transistores

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Tipos de Transistores

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

CDMS24740-170 SL PBFREE
Central Semiconductor
1: S/153.95
27En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
CDMS24740-170 SL PBFREE

N.º de artículo de Mouser
610-CDMS24740-170SL

Nuevo producto

Central Semiconductor

MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

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Hoja de datos

27En existencias

S/153.95

S/125.96

S/111.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE

DN2625DK6-G
Microchip Technology
1: S/13.04
20,623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DN2625DK6-G

N.º de artículo de Mouser
689-DN2625DK6-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE

Hoja de datos

20,623En existencias

S/13.04

S/10.86

S/9.81

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

IXTA6N100D2
IXYS
1: S/36.24
3,762En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

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Hoja de datos

3,762En existencias

S/36.24

S/22.65

S/21.99

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263AA-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

IXTY08N50D2
IXYS
1: S/14.29
21,819En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY08N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY08N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

21,819En existencias

S/14.29

S/6.89

S/6.11

S/5.45

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET DEPLETION MODE 500V 10 Ohms

DN2450N8-G
Microchip Technology
1: S/3.50
5,176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DN2450N8-G

N.º de artículo de Mouser
689-DN2450N8-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET DEPLETION MODE 500V 10 Ohms

Hoja de datos

5,176En existencias

Cinta cortada

S/3.50

S/2.96

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.69

S/2.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-89-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode

LND01K1-G
Microchip Technology
1: S/2.18
3,611En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LND01K1-G

N.º de artículo de Mouser
689-LND01K1-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode

Hoja de datos

3,611En existencias

Cinta cortada

S/2.18

S/1.87

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 1KOhm

LND250K1-G
Microchip Technology
1: S/2.06
26,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LND250K1-G

N.º de artículo de Mouser
689-LND250K1-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 1KOhm

Hoja de datos

26,788En existencias

Cinta cortada

S/2.06

S/1.75

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET

DN3765K4-G
Microchip Technology
1: S/12.77
1,697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DN3765K4-G

N.º de artículo de Mouser
689-DN3765K4-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET

Hoja de datos

1,697En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/12.69

S/10.74

S/9.73

Envase tipo carrete

S/9.38

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 3A N-CH DEPL

IXTA3N100D2HV
IXYS
1: S/27.95
571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N100D2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N100D2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 3A N-CH DEPL

Obtenga más información

Hoja de datos

571En existencias

S/27.95

S/15.03

S/13.74

S/13.43

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263HV-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL

IXTH1N170DHV
IXYS
1: S/78.12
892En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH1N170DHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH1N170DHV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL

Obtenga más información

Hoja de datos

892En existencias

S/78.12

S/51.23

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90mA SOT-23-3

BSS169H6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.37
63,679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS169H6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS169H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90mA SOT-23-3

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Hoja de datos

63,679En existencias

Cinta cortada

S/2.37

S/1.46

S/0.954

S/0.705

Envase tipo carrete

S/0.522

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1700V 2A

IXTT2N170D2
IXYS
1: S/111.56
119En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT2N170D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT2N170D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1700V 2A

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Hoja de datos

119En existencias

S/111.56

S/87.43

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

IXTA3N50D2
IXYS
1: S/23.24
3,674En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

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Hoja de datos

3,674En existencias

S/23.24

S/12.30

S/11.21

S/10.51

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL

IXTA6N100D2HV
IXYS
1: S/69.71
691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA6N100D2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N100D2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL

Obtenga más información

Hoja de datos

691En existencias

S/69.71

S/56.75

S/40.83

S/39.94

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263AA-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 500V 16A MOSFET

IXTH16N50D2
IXYS
1: S/65.78
1,129En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH16N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH16N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 500V 16A MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,129En existencias

S/65.78

S/50.60

S/45.93

S/42.31

S/42.16

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20mA SOT-223-3

BSP135H6906XTSA1
Infineon Technologies
1: S/9.11
10,571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP135H6906XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP135H6906XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20mA SOT-223-3

Hoja de datos

10,571En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/5.88

S/4.01

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.2 Amps 500V 30 Rds

IXTY02N50D
IXYS
1: S/11.87
3,666En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY02N50D

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY02N50D

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.2 Amps 500V 30 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

3,666En existencias

S/11.87

S/5.64

S/4.94

S/4.44

S/4.24

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

IXTA3N100D2
IXYS
1: S/27.95
824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

Obtenga más información

Hoja de datos

824En existencias

S/27.95

S/15.96

S/14.60

S/14.44

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTT10N100D2
IXYS
1: S/92.21
901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT10N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT10N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Obtenga más información

Hoja de datos

901En existencias

S/92.21

S/73.22

S/57.26

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92

DN2540N3-G-P003
Microchip Technology
1: S/3.97
1,743En existencias
2,000Se espera el 7/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
DN2540N3-G-P003

N.º de artículo de Mouser
689-DN2540N3-G-P003

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92

Hoja de datos

1,743En existencias

2,000Se espera el 7/05/2026

Cinta cortada

S/3.97

S/3.35

S/3.04

Envase tipo carrete

S/3.04

S/3.03

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 30mA SOT-23-3

BSS139 H6327
Infineon Technologies
1: S/2.69
71,423En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS139 H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSS139H6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 30mA SOT-23-3

Hoja de datos

71,423En existencias

Cinta cortada

S/2.69

S/1.63

S/1.05

S/0.798

Envase tipo carrete

S/0.561

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel MOSFET 350V 0.12A 3P TO-92

DN2535N3-G-P003
Microchip Technology
1: S/3.85
1,803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DN2535N3-G-P003

N.º de artículo de Mouser
689-DN2535N3-G-P003

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel MOSFET 350V 0.12A 3P TO-92

Hoja de datos

1,803En existencias

Cinta cortada

S/3.85

S/3.15

S/2.92

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.91

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90mA SOT-23-3

BSS169 H6327
Infineon Technologies
1: S/2.37
72,147En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS169 H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSS169H6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90mA SOT-23-3

Hoja de datos

72,147En existencias

Cinta cortada

S/2.37

S/1.46

S/0.954

S/0.705

Envase tipo carrete

S/0.522

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 30mA SOT-23-3

BSS139H6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.69
11,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS139H6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS139H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 30mA SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

11,901En existencias

Cinta cortada

S/2.69

S/1.63

S/1.05

S/0.798

Envase tipo carrete

S/0.561

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

CDMS24720-170 SL PBFREE
Central Semiconductor
1: S/416.93
30En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
CDMS24720-170 SL PBFREE

N.º de artículo de Mouser
610-CDMS24720-170SL

Nuevo producto

Central Semiconductor

MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

Obtenga más información

Hoja de datos

30En existencias

S/416.93

S/346.82

S/315.92

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Depletion Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DFN-8
DPAK-3 (TO-252-3)
PDIP-16
PDIP-8
SOIC-16
SOIC-8
SOT-223-2
SOT-223-3
SOT-223-4
SOT-23-3
SOT-23-5
SOT-323-3
SOT-723-3
SOT-89-3
TO-220-3
TO-247-3
TO-263AA-3
TO-263HV-2