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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 122

Filtros aplicados:

Marca = YAGEO XSemi

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V -18.5A 10mOhm PMPAK5x6

XP3P010AMT
YAGEO XSemi
1: S/4.24
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP3P010AMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P010AMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V -18.5A 10mOhm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/4.24

S/3.01

S/1.87

S/1.29

Envase tipo carrete

S/0.775

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V 10mOhm TO-252

XP3P010H
YAGEO XSemi
1: S/3.35
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP3P010H

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P010H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V 10mOhm TO-252

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/3.35

S/2.05

S/1.35

S/1.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V -22A 7mOhm PMPAK5x6

XP3P7R0EMT
YAGEO XSemi
1: S/3.81
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP3P7R0EMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P7R0EMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V -22A 7mOhm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/3.81

S/2.38

S/1.55

S/1.19

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 20.7A 4.5mohm PMPAK-3x3

XP4024EYT
YAGEO XSemi
1: S/4.71
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP4024EYT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4024EYT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 20.7A 4.5mohm PMPAK-3x3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/4.71

S/3.27

S/2.07

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.603

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 13.7A 12mOhm PMPAK3x3

XP4438GYT
YAGEO XSemi
1: S/1.95
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP4438GYT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4438GYT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 13.7A 12mOhm PMPAK3x3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/1.95

S/1.42

S/0.887

S/0.611

Envase tipo carrete

S/0.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 20.7A 4.2mOhm PMPAK5x6

XP4N4R2MT
YAGEO XSemi
1: S/3.39
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP4N4R2MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4N4R2MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 20.7A 4.2mOhm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/3.39

S/2.07

S/1.37

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.771

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 45A 1.5mohm SPPAK-5x6

XP4NA1R5HCST
YAGEO XSemi
1: S/7.28
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP4NA1R5HCST

N.º de artículo de Mouser
603-XP4NA1R5HCST

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 45A 1.5mohm SPPAK-5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/7.28

S/4.55

S/3.00

S/2.38

Envase tipo carrete

S/1.92

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 36.5A 2.28mohm SPPAK-5x6

XP4NA2R2HCST
YAGEO XSemi
3,000: S/1.40
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP4NA2R2HCST

N.º de artículo de Mouser
603-XP4NA2R2HCST

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 36.5A 2.28mohm SPPAK-5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/1.40

S/1.39

S/1.36

S/1.30

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 61.4A 0.85mohm PMPAK5x6

XP4NAR85CMT
YAGEO XSemi
3,000: S/2.02
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP4NAR85CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4NAR85CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 61.4A 0.85mohm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.02

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 500V 290mohm TO-252(H)

XP50SL290DH
YAGEO XSemi
3,000: S/2.79
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP50SL290DH

N.º de artículo de Mouser
603-XP50SL290DH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 500V 290mohm TO-252(H)

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.79

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 95mohm TO-247

XP60BM095WL
YAGEO XSemi
3,000: S/8.49
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP60BM095WL

N.º de artículo de Mouser
603-XP60BM095WL

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 95mohm TO-247

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/8.49

S/8.21

Min.: 3,000
Mult.: 30

: 30

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 290mohm TO-220CFM-T

XP60SA290DIT
YAGEO XSemi
3,000: S/3.10
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP60SA290DIT

N.º de artículo de Mouser
603-XP60SA290DIT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 290mohm TO-220CFM-T

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/3.10

Min.: 3,000
Mult.: 50

: 50

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 380mohm TO-220CFM-T

XP60SA380DIT
YAGEO XSemi
3,000: S/2.48
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP60SA380DIT

N.º de artículo de Mouser
603-XP60SA380DIT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 380mohm TO-220CFM-T

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/2.48

Min.: 3,000
Mult.: 50

: 50

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 380mohm TO-252

XP60SC380DH
YAGEO XSemi
3,000: S/1.94
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP60SC380DH

N.º de artículo de Mouser
603-XP60SC380DH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 380mohm TO-252

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/1.94

S/1.90

S/1.80

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 650V 74mohm TO-247

XP65SA074FWL
YAGEO XSemi
3,000: S/11.91
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP65SA074FWL

N.º de artículo de Mouser
603-XP65SA074FWL

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 650V 74mohm TO-247

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/11.91

Min.: 3,000
Mult.: 30

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N + N 30V/30V 14.2A/22.9A 5.5mohm/2.5mohm PMPAK-5x6

XP6932MT
YAGEO XSemi
3,000: S/1.32
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP6932MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6932MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N + N 30V/30V 14.2A/22.9A 5.5mohm/2.5mohm PMPAK-5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.32

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 60V 6.7A 38mohm PMPAK-5x6

XP6A038MT
YAGEO XSemi
1: S/4.09
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP6A038MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6A038MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 60V 6.7A 38mohm PMPAK-5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/4.09

S/2.91

S/1.81

S/1.25

Envase tipo carrete

S/0.755

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 21.7A 6mOhm PMPAK5x6L

XP6NA6R0CMT-L
YAGEO XSemi
3,000: S/1.01
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA6R0CMT-L

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA6R0CMT-L

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 21.7A 6mOhm PMPAK5x6L

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/1.01

S/0.985

S/0.954

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 21.6A 6.3mOhm PMPAK5x6

XP6NA6R3MT
YAGEO XSemi
3,000: S/1.20
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA6R3MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA6R3MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 21.6A 6.3mOhm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.20

S/1.19

S/1.18

S/1.12

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 18.5A 8mOhm SPPAK5x6

XP6NA8R0CST
YAGEO XSemi
1: S/4.36
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA8R0CST

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA8R0CST

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 18.5A 8mOhm SPPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/4.36

S/2.69

S/1.77

S/1.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -60V 25mohm TO-252

XP6P025H
YAGEO XSemi
3,000: S/1.36
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP6P025H

N.º de artículo de Mouser
603-XP6P025H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -60V 25mohm TO-252

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.36

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 80V 28.2A 3.5mOhm PMPAK5x6

XP8N3R5CMT
YAGEO XSemi
3,000: S/2.18
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
XP8N3R5CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP8N3R5CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 80V 28.2A 3.5mOhm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.18

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Reel

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

53 mA
200 mA
1.6 A
2.5 A
3 A
3.2 A
3.5 A
3.9 A
4 A
4.1 A
4.2 A
4.3 A
4.5 A
5 A
5.4 A
5.5 A, 7.8 A
5.8 A
6.1 A, 8.7 A
6.4 A
7.3 A, 11 A

950 uOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.4 mOhms
2.55 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.88 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
5 mOhms

700 pC
2.3 nC
2.5 nC
5 nC
5 nC, 5.8 nC
5 nC, 6 nC
5.2 nC, 6 nC
5.3 nC
5.5 nC
6.5 nC
7.2 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11 nC, 32 nC
12 nC
14 nC
14.5 nC