.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 13.7A 14mOhms XP10NA014MT YAGEO XSemi 1: S/4.13 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas Nuevo en Mouser	N.º de artículo del Fabricante XP10NA014MT N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA014MT Nuevo en Mouser	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 13.7A 14mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Cinta cortada S/4.13 S/2.57 S/1.69 S/1.33 Envase tipo carrete S/1.03 Ver S/1.16 S/0.919 S/0.88 S/0.775 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 10.8A 14mOhms XP10NA014YT YAGEO XSemi 1: S/4.83 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas Nuevo en Mouser	N.º de artículo del Fabricante XP10NA014YT N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA014YT Nuevo en Mouser	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 10.8A 14mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Cinta cortada S/4.83 S/3.46 S/2.15 S/1.48 Envase tipo carrete S/1.12 Ver S/1.25 S/0.965 S/0.891 S/0.767 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 8.8A 34mOhms XP10NA034MT YAGEO XSemi 1: S/4.55 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas Nuevo en Mouser	N.º de artículo del Fabricante XP10NA034MT N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA034MT Nuevo en Mouser	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 8.8A 34mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Cinta cortada S/4.55 S/3.17 S/2.00 S/1.24 Envase tipo carrete S/0.814 Ver S/0.915 S/0.701 S/0.615 S/0.487 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 7A 34mOhms XP10NA034YT YAGEO XSemi 1: S/3.39 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas Nuevo en Mouser	N.º de artículo del Fabricante XP10NA034YT N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA034YT Nuevo en Mouser	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 7A 34mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Cinta cortada S/3.39 S/2.37 S/1.49 S/0.923 Envase tipo carrete S/0.607 Ver S/0.681 S/0.522 S/0.459 S/0.362 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 66A 8.2mOhms XP10NA8R2LH YAGEO XSemi 3,000: S/1.54 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NA8R2LH N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA8R2LH	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 66A 8.2mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/1.54 S/1.37 S/1.32 S/1.16	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 45.5A 8.2mOhms XP10NA8R2LIT YAGEO XSemi 3,000: S/1.94 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NA8R2LIT N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA8R2LIT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 45.5A 8.2mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	S/1.94 S/1.72 S/1.70 S/1.62	Min.: 3,000 Mult.: 50
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS, 100V, 17.7A, 8.2mO, PMPAK-5x6 XP10NA8R2LMT YAGEO XSemi 3,000: S/1.37 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NA8R2LMT N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA8R2LMT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS, 100V, 17.7A, 8.2mO, PMPAK-5x6	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/1.37 S/1.35 S/1.34 S/1.27	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 66A 8.2mOhms XP10NA8R2LP YAGEO XSemi 3,000: S/1.85 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NA8R2LP N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA8R2LP	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 66A 8.2mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	S/1.85 S/1.78 S/1.56	Min.: 3,000 Mult.: 50
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS, 100V, 66A, 8.4mO, TO-252 XP10NA8R4H YAGEO XSemi 3,000: S/1.35 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NA8R4H N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA8R4H	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS, 100V, 66A, 8.4mO, TO-252	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/1.35 S/1.34 S/1.32 S/1.25	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS, 100V, 17.8A, 8.4mO, PMPAK-5x6 XP10NA8R4MT YAGEO XSemi 3,000: S/1.50 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NA8R4MT N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA8R4MT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS, 100V, 17.8A, 8.4mO, PMPAK-5x6	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/1.50 S/1.33 S/1.28 S/1.25	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 66A 8.4mOhms XP10NA8R4P YAGEO XSemi 3,000: S/2.00 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NA8R4P N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA8R4P	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 66A 8.4mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	S/2.00 S/1.78 S/1.72 S/1.51	Min.: 3,000 Mult.: 50
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 66A 8.4mOhms XP10NA8R4R YAGEO XSemi 3,000: S/1.97 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NA8R4R N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA8R4R	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 66A 8.4mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	S/1.97 S/1.89 S/1.65	Min.: 3,000 Mult.: 50
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 64.8A 8.8mOhms XP10NA8R8J YAGEO XSemi 4,000: S/1.63 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NA8R8J N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA8R8J	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 64.8A 8.8mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	S/1.63 S/1.44 S/1.40 S/1.23	Min.: 4,000 Mult.: 80
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 247A 2mOhms XP10NB2R0TL YAGEO XSemi 2,000: S/4.52 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NB2R0TL N.º de artículo de Mouser 603-XP10NB2R0TL	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 247A 2mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/4.52 S/4.13	Min.: 2,000 Mult.: 2,000 : 2,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 195A 2.5mOhms XP10NB2R5WL YAGEO XSemi 3,000: S/5.96 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NB2R5WL N.º de artículo de Mouser 603-XP10NB2R5WL	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 195A 2.5mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	S/5.96 S/5.41	Min.: 3,000 Mult.: 30
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 30A 3mOhms XP10NB3R0CXT YAGEO XSemi 3,000: S/3.32 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NB3R0CXT N.º de artículo de Mouser 603-XP10NB3R0CXT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 30A 3mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/3.32 S/2.90	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 28A 3.4mOhms XP10NB3R4LCMT YAGEO XSemi 3,000: S/2.55 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NB3R4LCMT N.º de artículo de Mouser 603-XP10NB3R4LCMT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 28A 3.4mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/2.55 S/2.42 S/2.20	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 75A 4.2mOhms XP10NB4R2LH YAGEO XSemi 3,000: S/2.11 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NB4R2LH N.º de artículo de Mouser 603-XP10NB4R2LH	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 75A 4.2mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/2.11 S/2.03 S/1.77	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 24.5A 5mOhms XP10NB5R0LXT YAGEO XSemi 3,000: S/2.19 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NB5R0LXT N.º de artículo de Mouser 603-XP10NB5R0LXT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 24.5A 5mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/2.19 S/2.11 S/1.85	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 24.5A 5mOhms XP10NB5R0XT YAGEO XSemi 3,000: S/2.22 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NB5R0XT N.º de artículo de Mouser 603-XP10NB5R0XT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 24.5A 5mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/2.22 S/2.14 S/1.87	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 103.6A 5.5mOhms XP10NB5R5H YAGEO XSemi 3,000: S/1.98 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NB5R5H N.º de artículo de Mouser 603-XP10NB5R5H	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 100V 103.6A 5.5mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/1.98 S/1.91 S/1.67	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS, 100V, 20A, 6.9mO, SPPAK-5x6 XP10NB6R9CST YAGEO XSemi 3,000: S/2.39 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10NB6R9CST N.º de artículo de Mouser 603-XP10NB6R9CST	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS, 100V, 20A, 6.9mO, SPPAK-5x6	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/2.39 S/2.27	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-MOS -100V -6.4A 67mOhms XP10P067MT YAGEO XSemi 3,000: S/1.30 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante XP10P067MT N.º de artículo de Mouser 603-XP10P067MT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-MOS -100V -6.4A 67mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Envase tipo carrete S/1.30 S/1.17 S/1.12 S/0.985	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-MOS -100V -5.1A 67mOhms XP10P067YT YAGEO XSemi 1: S/4.05 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas Nuevo en Mouser	N.º de artículo del Fabricante XP10P067YT N.º de artículo de Mouser 603-XP10P067YT Nuevo en Mouser	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-MOS -100V -5.1A 67mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Cinta cortada S/4.05 S/2.51 S/1.65 S/1.30 Envase tipo carrete S/1.00 Ver S/1.14 S/0.899 S/0.86 S/0.759 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-MOS -100V -3A 135mOhms XP10P135M YAGEO XSemi 1: S/4.20 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas Nuevo en Mouser	N.º de artículo del Fabricante XP10P135M N.º de artículo de Mouser 603-XP10P135M Nuevo en Mouser	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-MOS -100V -3A 135mOhms	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	Cinta cortada S/4.20 S/2.93 S/1.86 S/1.15 Envase tipo carrete S/0.751 Ver S/0.849 S/0.65 S/0.568 S/0.452 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000

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