Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -5. 8A SO-8
XP3P050AM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -5. 8A SO-8
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YAGEO XSemi
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YAGEO XSemi
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YAGEO XSemi
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YAGEO XSemi
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Si
SMD/SMT
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YAGEO XSemi
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YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251
227 En existencias
4,000 Se espera el 28/12/2026
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Si
Through Hole
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Tube
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YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223
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Si
SMD/SMT
SOT-223-4
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YAGEO XSemi
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Si
SMD/SMT
SOT-23S-3
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YAGEO XSemi
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YAGEO XSemi
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
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1 Channel
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YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser
603-XP2P052N
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4A SOT-23S
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Si
SMD/SMT
SOT-23S-3
P-Channel
1 Channel
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YAGEO XSemi
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369 En existencias
N.º de artículo de Mouser
603-XP2P053N
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4. 2A SOT-23S
369 En existencias
1
S/1.28
10
S/0.564
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S/0.187
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3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23S-3
P-Channel
1 Channel
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
XP3700YT
YAGEO XSemi
1:
S/2.41
736 En existencias
N.º de artículo de Mouser
603-XP3700YT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
736 En existencias
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Comprar
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Si
SMD/SMT
PMPAK-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
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6.1 A, 8.7 A
20 mOhms, 45 mOhms
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YAGEO XSemi
1:
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603-XP3N028EN
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 5.4A SOT-23S
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.5A SOT-23S
XP3N035N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.5A SOT-23S
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.3A SOT-23S
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -4. 1A SOT-89
909 En existencias
2,000 Se espera el 27/10/2026
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YAGEO XSemi
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603-XP3P080N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -3. 2A SOT-23S
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -40V -3A SOT-23S
XP4P090N
YAGEO XSemi
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603-XP4P090N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -40V -3A SOT-23S
2,569 En existencias
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SOT-23S-3
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40 V
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