Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ443AEP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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SQ3481CEV-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
SQJQ402E-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
38,013 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET
SIJH112E-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET
7,353 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 P-CH 40V 48.3A
SIR4411DP-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 P-CH 40V 48.3A
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S/2.25
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S/1.81
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
SIR5607DP-T1-UE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
2,391 En existencias
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S/14.64
10
S/9.54
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1,000
S/5.96
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S/5.02
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Circuitos integrados de interruptor analógico Mono quad SPST Pd 450mW TSSOP-16
+1 imagen
DG9425EDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
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N.º de artículo de Mouser 78-DG9425EDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Circuitos integrados de interruptor analógico Mono quad SPST Pd 450mW TSSOP-16
10,510 En existencias
1
S/11.09
10
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25
S/7.59
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6,000
S/5.84
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT233 100V 1.15A N-CH MOSFET
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SI2328DS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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S/5.25
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N.º de artículo de Mouser 78-SI2328DS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT233 100V 1.15A N-CH MOSFET
111,187 En existencias
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1
S/5.25
10
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S/1.27
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S/1.56
24,000
S/1.22
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 12V 5.1A
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SI2333CDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1:
S/4.40
173,399 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SI2333CDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 12V 5.1A
173,399 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.40
10
S/2.75
100
S/1.81
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S/1.40
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S/0.958
24,000
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S/1.28
24,000
S/0.923
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
SIA459EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/2.92
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N.º de artículo de Mouser 78-SIA459EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
119,710 En existencias
1
S/2.92
10
S/1.81
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S/0.802
6,000
S/0.631
9,000
S/0.549
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Reguladores de voltaje de conmutación 4A, 4.5-60V buck reg 100kHZ to 2MHz
SIC463ED-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/14.67
9,875 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIC463ED-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Reguladores de voltaje de conmutación 4A, 4.5-60V buck reg 100kHZ to 2MHz
9,875 En existencias
1
S/14.67
10
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S/10.20
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250
S/8.72
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S/8.45
1,000
S/8.21
3,000
S/8.02
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SIS110DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/4.01
94,668 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIS110DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
94,668 En existencias
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S/4.01
10
S/2.48
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S/1.27
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S/0.845
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S/1.15
6,000
S/0.821
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/2.88
138,021 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
138,021 En existencias
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S/2.88
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S/0.88
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Ver
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S/0.79
6,000
S/0.619
9,000
S/0.537
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/2.34
181,230 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
181,230 En existencias
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S/2.34
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Ver
1,000
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S/0.487
9,000
S/0.42
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