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N.° de pieza

IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3

IXGH28N60B3D1
IXYS
1: S/34.45
437En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGH28N60B3D1

N.º de artículo de Mouser
747-IXGH28N60B3D1

IXYS

IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3

Hoja de datos

437En existencias

S/34.45

S/20.09

S/16.89

S/16.39

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 60 Amps 1200V

IXGH30N120B3D1
IXYS
1: S/65.90
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGH30N120B3D1

N.º de artículo de Mouser
747-IXGH30N120B3D1

IXYS

IGBTs 60 Amps 1200V

Hoja de datos

251En existencias

S/65.90

S/40.60

S/38.22

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 12 Amps 1700 V 4 V Rds

IXGH6N170
IXYS
1: S/60.84
223En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGH6N170

N.º de artículo de Mouser
747-IXGH6N170

IXYS

IGBTs 12 Amps 1700 V 4 V Rds

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223En existencias

S/60.84

S/41.88

S/35.34

S/33.40

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs GenX3 1200V IGBTs

IXGT32N120A3
IXYS
1: S/74.89
298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGT32N120A3

N.º de artículo de Mouser
747-IXGT32N120A3

IXYS

IGBTs GenX3 1200V IGBTs

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298En existencias

S/74.89

S/46.67

S/45.04

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

IXTA1R6N100D2
IXYS
1: S/22.27
1,771En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA1R6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA1R6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

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1,771En existencias

S/22.27

S/11.68

S/10.16

S/9.07

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 62 Amps 500V 0.1 Rds

IXTB62N50L
IXYS
1: S/265.27
498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTB62N50L

N.º de artículo de Mouser
747-IXTB62N50L

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 62 Amps 500V 0.1 Rds

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498En existencias

S/265.27

S/221.91

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

IXTH80N65X2
IXYS
1: S/71.23
239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH80N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH80N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

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239En existencias

S/71.23

S/44.18

S/41.77

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds

IXTP75N10P
IXYS
1: S/22.65
549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP75N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP75N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds

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549En existencias

S/22.65

S/14.71

S/12.26

S/11.60

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

IXTQ10P50P
IXYS
1: S/39.86
483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ10P50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ10P50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

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483En existencias

S/39.86

S/23.51

S/19.89

S/19.62

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA

IXTT1N250HV
IXYS
1: S/203.85
304En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT1N250HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT1N250HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA

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304En existencias

S/203.85

S/167.14

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -170.0 Amps -100V 0.012 Rds

IXTX170P10P
IXYS
1: S/106.85
226En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX170P10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX170P10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -170.0 Amps -100V 0.012 Rds

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226En existencias

S/106.85

S/77.23

S/67.92

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs

IXXH50N60B3
IXYS
1: S/58.35
261En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXXH50N60B3

N.º de artículo de Mouser
747-IXXH50N60B3

IXYS

IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs

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261En existencias

S/58.35

S/35.58

S/32.66

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT

IXXH80N65B4
IXYS
1: S/42.16
920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXXH80N65B4

N.º de artículo de Mouser
747-IXXH80N65B4

IXYS

IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT

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920En existencias

S/42.16

S/26.20

S/22.62

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs TO263 1200V 20A XPT

IXYA20N120C4HV
IXYS
1: S/47.29
374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYA20N120C4HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXYA20N120C4HV

IXYS

IGBTs TO263 1200V 20A XPT

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374En existencias

S/47.29

S/27.25

S/26.39

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos de Diodos 44 Amps 1800V

MDD44-18N1B
IXYS
1: S/144.06
101En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MDD44-18N1B

N.º de artículo de Mouser
747-MDD44-18N1B

IXYS

Módulos de Diodos 44 Amps 1800V

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Hoja de datos

101En existencias

S/144.06

S/109.15

S/100.08

S/89.99

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet

LSIC1MO120E0160
IXYS
1: S/53.99
548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSIC1MO120E0160

N.º de artículo de Mouser
576-LSIC1MO120E0160

IXYS

MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet

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Hoja de datos

548En existencias

S/53.99

S/42.82

S/39.20

S/37.68

S/31.84

Min.: 1
Mult.: 1

SCR Phase Control Thyristors, SCR

CMA50P1600FC
IXYS
1: S/81.39
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CMA50P1600FC

N.º de artículo de Mouser
747-CMA50P1600FC

IXYS

SCR Phase Control Thyristors, SCR

Hoja de datos

240En existencias

S/81.39

S/52.20

S/50.72

Min.: 1
Mult.: 1

Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V

DPG60C300HB
IXYS
1: S/28.42
373En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DPG60C300HB

N.º de artículo de Mouser
747-DPG60C300HB

IXYS

Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V

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373En existencias

S/28.42

S/18.80

S/16.19

Min.: 1
Mult.: 1

Rectificadores en puente 22 Amps 1600V

FUO22-16N
IXYS
1: S/81.35
237En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FUO22-16N

N.º de artículo de Mouser
747-FUO22-16N

IXYS

Rectificadores en puente 22 Amps 1600V

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237En existencias

S/81.35

S/59.40

S/54.85

S/54.46

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

IXFH34N65X2
IXYS
1: S/43.56
655En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH34N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH34N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

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655En existencias

S/43.56

S/25.89

S/22.03

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

IXFK250N10P
IXYS
1: S/121.76
88En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK250N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK250N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

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Hoja de datos

88En existencias

S/121.76

S/89.26

S/78.55

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds

IXFR140N20P
IXYS
1: S/89.45
345En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFR140N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR140N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds

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345En existencias

S/89.45

S/56.56

S/55.86

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A

IXFT44N50P
IXYS
1: S/66.37
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT44N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT44N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A

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300En existencias

S/66.37

S/45.81

S/38.73

S/36.63

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFX150N30P3
IXYS
1: S/105.72
646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX150N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX150N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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646En existencias

S/105.72

S/69.09

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A

IXFX80N50Q3
IXYS
1: S/154.38
710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX80N50Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX80N50Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A

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710En existencias

S/154.38

S/114.36

S/107.90

Min.: 1
Mult.: 1

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