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STF17N62K3

Name: STMicroelectronics STF17N62K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF17N62K3
Price: 20.47 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STF17N62K3

Fabricante N.º:

STF17N62K3

Fabricante:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

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Modelo ECAD:

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	S/20.47	S/20.47
	S/10.86	S/108.60

Fabricante:

STMicroelectronics

Fabricante N.º:

STF16N60M2

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	620 V
Id - Corriente de drenaje continua:	15.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	280 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	105 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperMESH
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	62 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	29 ns
Serie:	STF17N62K3
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	110 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22 ns
Peso de la unidad:	2 g