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MCW099N60SH-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCW099N60SH-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCW099N60SH-BP
Price: 18.72 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-MCW099N60SH-BP

Fabricante N.º:

MCW099N60SH-BP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,TO-247

Ciclo de vida:

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	S/18.72	S/18.72
	S/13.39	S/133.90
	S/11.05	S/1,105.00
	S/9.85	S/4,925.00
	S/8.45	S/8,450.00
	S/8.41	S/15,138.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	99 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	56.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	236 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Bulk
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	26 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	71 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	50.5 ns

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PCN

Product Change Notification 2025-4-7 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs

Micro Commercial Components (MCC) MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs are designed to deliver impressive performance and efficiency and are available in the compact TO-247 package. The MCW075N60FH, MCW099N60SH, and MCW105N60FH MOSFETs feature typical low on-resistance values from 65mΩ to 95mΩ, making them ideal for a wide range of applications. These MOSFETs are available with or without an integrated Fast Recovery Diode (FRED), which improves recovery and switching times. The MCWx MOSFETs are equipped with superjunction technology for high-voltage applications. These MOSFETs ensure low conduction losses and minimize power dissipation. The MCWx power MOSFETs are used in power supplies, motor drives, renewable energy, consumer electronics, and industrial applications.