WP7113PD1BT/BD-P22

Name: Kingbright WP7113PD1BT/BD-P22
Brand: Kingbright
SKU: 604-WP7113PD1BTBDP22
Price: 3.35 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

604-WP7113PD1BTBDP22

Fabricante N.º:

WP7113PD1BT/BD-P22

Fabricante:

Kingbright

Descripción:

Fotodiodos 5mm PHOTODIODE

Hoja de datos:

WP7113PD1BT/BD-P22 Hoja de datos (PDF)

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	S/1.04	S/1,040.00
	S/0.981	S/1,962.00
	S/0.923	S/4,615.00
	S/0.919	S/9,190.00
	S/0.845	S/21,125.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Kingbright
Categoría de producto:	Fotodiodos
RoHS:
Producto:	Photodiodes
Paquete / Cubierta:	T-1 3/4
Estilo de montaje:	Through Hole
Longitud de onda máxima:	940 nm
Corriente oscura:	10 nA
Vr - Tensión inversa:	170 V
Tiempo de subida:	6 ns
Tiempo de caída:	6 ns
Grados del ángulo de media intensidad:	20 deg
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Marca:	Kingbright
Empaquetado:	Bulk
Dp - Disipación de potencia :	150 mW
Fotocorriente:	2 uA
Tipo de producto:	Photodiodes
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Optical Detectors & Sensors
Peso de la unidad:	309.803 mg

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ECCN:: EAR99

NPN Si Phototransistors

Kingbright NPN Si Phototransistors are made with NPN silicon phototransistor chips. These phototransistors are mechanically and spectrally matched to infrared-emitting LED lamps. The NPN Si phototransistors operate at a temperature range from -40°C to +85°C. These phototransistors feature a maximum collector-to-emitter voltage of 30V and an emitter-to-collector voltage of 5V. Typical applications include infrared applied systems, optoelectronic switches, and photodetector control circuits.