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GS61008P-E05-MR

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Mouser N.º:

499-GS61008P-E05-MR

Fabricante N.º:

GS61008P-E05-MR

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

GaN FETs No longer available. Order GS61008P-MR

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

GS61008P-E05-MR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	GaNPX-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	90 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 7 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.7 V
Qg - Carga de puerta:	8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	GS6100x
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	E-HEMT Power Transistor
Peso de la unidad:	4.675 g

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Hoja de datos

GS61008P-E05-MR Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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