PE4140B-Z

Name: pSemi PE4140B-Z
Brand: pSemi
SKU: 81-PE4140B-Z
Price: 12.77 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

81-PE4140B-Z

Fabricante N.º:

PE4140B-Z

Fabricante:

pSemi

Descripción:

Mezclador de RF Green 6 lead 3x3 DFN

Hoja de datos:

PE4140B-Z Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/12.77	S/12.77
	S/12.11	S/1,211.00
	S/12.07	S/6,035.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/10.55	S/31,650.00
6,000	Presupuesto

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	pSemi
Categoría de producto:	Mezclador de RF
RoHS:
Frecuencia RF:	1.7 GHz to 2.2 GHz
Pérdida de conversión - Máx.:	8.5 dB
Frecuencia LO:	1.63 GHz to 2.13 GHz
Frecuencia IF:	70 MHz
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-6
Marca:	pSemi
Kit de desarrollo:	EK4140-01
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	32 dBm
P1dB: punto de compresión:	22 dBm
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	RF Mixer
Serie:	UltraCMOS
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Tecnología:	Si
Alias de las piezas n.º:	PE4140

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UltraCMOS® Quad MOSFET Mixers

pSemi UltraCMOS® Quad MOSFET Mixers are broadband, quad Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) array cores. These integrated receive mixers feature high linearity, image rejection, Local Oscillator (LO) isolation, strong low-frequency performance, monolithic integration, and high reliability. These pSEmi Quad MOSFET Mixers are manufactured using the Peregrine UltraCMOS process, a patented variation of silicon-on-insulator (SOI) technology on a sapphire substrate, offering the performance of GaAs with the economy and integration of conventional CMOS.