Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

UG4SC075005L8S

Name: onsemi UG4SC075005L8S
Brand: onsemi
SKU: 772-UG4SC075005L8S
Price: 203.11 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

772-UG4SC075005L8S

Fabricante N.º:

UG4SC075005L8S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

UG4SC075005L8S Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi UG4SC075005L8S

En existencias: 1,793

Existencias:: 1,793 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/203.11	S/203.11
	S/173.45	S/1,734.50
	S/162.55	S/16,255.00
	S/162.47	S/81,235.00
	S/162.43	S/162,430.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	S/149.86	S/299,720.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	MO-229-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 30 V to 30 V
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0:	6 uA
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5 mOhms
Dp - Disipación de potencia :	1.153 kW
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	UG4S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

UG4SC075005L8S Hoja de datos

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Combo-FETs

onsemi Combo-FETs are revolutionary devices that combine a low R_DS(on) onsemi SiC JFET with a Si MOSFET in a single, compact package. Explicitly designed for low-frequency protection applications, such as solid-state circuit breakers, battery disconnects, and surge protection, these Combo-FETs allow users access to the JFET gate to optimize the design. Integrating the Si MOSFET in these onsemi Combo-FETs ensures a normally off solution, achieving a size reduction of over 25% compared to discrete implementations.

UG4SC 750V 8.4mΩ Combo-FETs

onsemi UG4SC 750V 8.4mΩ Combo-FETs combine a 750V SiC JFET and a low-voltage Si MOSFET in a single TO-247-4L package. This design enables a normally off switch while benefiting from the ultra-low on-resistance [R_DS(on)] and robustness of a normally on SiC JFET. The UG4SC Combo-FET series from onsemi is ideal for high-energy switching in circuit protection. For switch-mode power conversion, the devices offer separate gate access to the JFET and MOSFET, enhancing speed control and simplifying the paralleling of multiple devices.