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NVMJS1D4N06CLTWG

Name: onsemi NVMJS1D4N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJS1D4N06CLTWG
Price: 5.68 PEN
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

863-NVMJS1D4N06CLTWG

Fabricante N.º:

NVMJS1D4N06CLTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-8
Empaquetado:	Reel
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NVMJS1D4N06CL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	99.445 mg

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PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.