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NVMFS5C442NLAFT1G-YE

Name: onsemi NVMFS5C442NLAFT1G-YE
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5C442NLAFT1GYE
Price: 6.31 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FS5C442NLAFT1GYE

Fabricante N.º:

NVMFS5C442NLAFT1G-YE

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

NVMFS5C442NLAFT1G-YE Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/6.31	S/6.31
	S/4.01	S/40.10
	S/2.67	S/267.00
	S/2.19	S/1,095.00
	S/1.99	S/1,990.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/1.76	S/2,640.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	130 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	50 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	83 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.3 ns
Serie:	NVMFS5C442NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns

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NVMFS5C442NLAFT1G-YE Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.