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NGTB25N120FL3WG

Name: onsemi NGTB25N120FL3WG
Brand: onsemi
SKU: 863-NGTB25N120FL3WG
Price: 29.54 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NGTB25N120FL3WG

Fabricante N.º:

NGTB25N120FL3WG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

IGBTs IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A

Hoja de datos:

NGTB25N120FL3WG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/29.54	S/29.54
	S/17.13	S/171.30
	S/14.95	S/1,794.00
	S/12.46	S/6,728.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.7 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	50 A
Dp - Disipación de potencia :	349 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	NGTB25N120FL3
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Corriente de fuga puerta-emisor:	200 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	4.083 g

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Hoja de datos

NGTB25N120FL3WG Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NGTB25N/NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors

onsemi NGTB25N and NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) feature a robust and cost-effective Ultra Field Stop Trench construction. Low switch losses and an ultra-fast recovery diode make them ideal for high frequency solar, UPS and inverter welder applications. Incorporated into these onsemi devices is a soft and fast co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.