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NCV8412ADDR2G

Name: onsemi NCV8412ADDR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV8412ADDR2G
Price: 10.59 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NCV8412ADDR2G

Fabricante N.º:

NCV8412ADDR2G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación DUAL SELF-PROTECTED LS DRIVER

Hoja de datos:

NCV8412ADDR2G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/10.59	S/10.59
	S/6.85	S/68.50
	S/6.38	S/159.50
	S/4.71	S/471.00
	S/3.82	S/1,910.00
	S/3.50	S/3,500.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/3.24	S/8,100.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación
RoHS:
Tipo:	Low Side
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	5.9 A
Límite de corriente:	5.9 A
Resistencia en modo encendido - Máx.:	460 mOhms
Tiempo encendido - Máx.:	31 us
Tiempo apagado - Máx.:	140 us
Voltaje de alimentación operativo:	12 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Serie:	NCV8412
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Dp - Disipación de potencia :	1.2 W
Tipo de producto:	Power Switch ICs - Power Distribution
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Switch ICs

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PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
ECCN:: EAR99

Low-Side Smart Discrete FETs

onsemi Low-Side Smart Discrete FETs can replace electromechanical relays and discrete circuits. These three-terminal-protected devices are suitable for harsh automotive environments. Protection features include Delta Thermal Shutdown, overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated Drain to Gate clamping for over-voltage protection. onsemi Low-Side Smart Discrete FETs can switch various resistive, inductive, and capacitive loads.