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MMBFJ110

Name: onsemi MMBFJ110
Brand: onsemi
SKU: 512-MMBFJ110
Price: 2.72 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-MMBFJ110

Fabricante N.º:

MMBFJ110

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-CH FET/SSOT-23

Hoja de datos:

MMBFJ110 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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S/-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/2.72	S/2.72
	S/1.68	S/16.80
	S/1.09	S/109.00
	S/0.833	S/416.50
	S/0.747	S/747.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.619	S/1,857.00
	S/0.568	S/3,408.00
	S/0.525	S/4,725.00
	S/0.487	S/11,688.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SSOT-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	- 25 V
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	18 Ohms
Dp - Disipación de potencia :	460 mW
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	MMBFJ110
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	40 mg

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MMBFJ110 Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MMBFJ110 25V N-Channel JFET

onsemi MMBFJ110 25V N-Channel JFET is designed for digital switching applications where very low on-resistance is mandatory. The MMBFJ110 N-Channel JFET has a drain-gate voltage of 25 volts and a drain-source on-resistance of 18Ω. The total dissipation for this device is 460 mW. The onsemi MMBFJ110 25V N-Channel JFET comes in a compact SuperSOT-3 package to help save board space.