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FDMS86103L

Name: onsemi FDMS86103L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86103L
Price: 11.25 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDMS86103L

Fabricante N.º:

FDMS86103L

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Hoja de datos:

FDMS86103L Hoja de datos (PDF)

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/11.25	S/11.25
	S/8.06	S/80.60
	S/6.03	S/603.00
	S/5.37	S/2,685.00
	S/5.06	S/5,060.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/5.06	S/15,180.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Power-56-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	43 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Transconductancia hacia delante - Mín.:	59 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDMS86103L
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	68.100 mg

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.