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AFGY120T65SPD

Name: onsemi AFGY120T65SPD
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGY120T65SPD
Price: 55 PEN
Availability: InStock

Mouser N.º:

863-AFGY120T65SPD

Fabricante N.º:

AFGY120T65SPD

Fabricante:

onsemi

Descripción:

IGBTs FS3 IGBT 650V/120A AND AUTO STEALTH DIODE

Hoja de datos:

AFGY120T65SPD Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/33.55	S/335.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	160 A
Dp - Disipación de potencia :	714 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	AFGY120T65SPD
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs

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PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

AFGYx Field Stop Trench IGBTs

onsemi AFGYx Field Stop Trench IGBTs are AEC-Q101 qualified and feature very low conduction and switching losses. These features allow for a high-efficiency operation in various applications, rugged transient reliability, and low EMI.