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CAB3R5M12DM4

Name: Wolfspeed CAB3R5M12DM4
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-CAB3R5M12DM4
Price: 3008.9 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CAB3R5M12DM4

Fabricante N.º:

CAB3R5M12DM4

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

Módulos MOSFET SiC Module, 3.5mohm, 1200V, DM4, Half-Bridge, Industrial

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

CAB3R5M12DM4 Hoja de datos (PDF)

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	S/3,008.90	S/3,008.90
	S/2,645.30	S/26,453.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	383 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	980 W
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Enhancement
Producto:	MOSFET Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete and Power Modules

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Hoja de datos

CAB3R5M12DM4 Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Módulos de medio puente SiC DM

Wolfspeed's DM SiC Half-Bridge Modules offer high-current capability in a very low mass and low volume form factor. These modules allow designers to develop high-power density silicon carbide converters for weight and space-constrained applications. The DM modules also feature rugged interconnects and high-reliability power substrates to address demanding markets. The DM4 module includes Gen 4 technology that reduces the cosmic FIT rate for operations at higher altitudes. Typical applications include e-mobility inverters, EV chargers, high-efficiency converters/inverters, and renewable energy.