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XPQR3004PB,LXHQ

Name: Toshiba XPQR3004PB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPQR3004PBLXHQ
Price: 26.59 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-XPQR3004PBLXHQ

Fabricante N.º:

XPQR3004PB,LXHQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L-TOGL N-CH 40V 400A

Hoja de datos:

XPQR3004PB,LXHQ Hoja de datos (PDF)

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S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/26.59	S/26.59
	S/19.07	S/190.70
	S/14.56	S/1,456.00
	S/14.17	S/14,170.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/13.94	S/20,910.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	L-TOGL-9
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	400 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	470 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	295 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	750 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Tiempo de caída:	130 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	65 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	395 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	120 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

L-TOGL & S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N-Ch MOSFETs

Toshiba L-TOGL and S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N-Channel MOSFETs deliver ultra-low on-resistance, a high drain current rating, and high heat dissipation. This is achieved by combining high heat dissipation packages [L-TOGL (large transistor outline gull-wing leads) and S-TOGL (small transistor outline gull-wing leads)] with the U-MOS IX-H and U-MOS X-H chip processes. Toshiba L-TOGL and S-TOGL MOSFETs also offer high current capability and high heat dissipation to help improve power density in a wide variety of automotive applications. The L-TOGL package is equivalent in size to the existing TO-220SM(W) package. However, XPQR3004PB greatly improves the current rating and significantly lowers the on-resistance to 0.23mΩ typical. L-TOGLs optimized package footprint also helps improve thermal characteristics when compared to the same-sized TO-220SM(W) package.

XPQR3004PB 40V 400A Automotive MOSFET

Toshiba XPQR3004PB 40V MOSFET features an RDS(ON) of 0.23mΩ (typical), 400A capability, and a threshold voltage (V_th) of 2V to 3V. Additional features include +175°C maximum operating temperature and 10µA maximum leakage current (V_DS = 40V). Toshiba XPQR3004PB MOSFET is offered in an L-TOGL package, which offers 0.2°C/W thermal impedance and 750W power dissipation. This device is AEC-Q101 certified and ideal for automotive applications, switching voltage regulators, motor drivers, and DC-DC converters.