TPH3R10AQM,LQ
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Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Drive Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
- País de origen:
- Malasia
- País de origen del ensamblaje:
- Malasia
- País de difusión:
- Japón
En existencias: 1,998
-
Existencias:
-
1,998 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ | ||
| S/11.41 | S/11.41 | |
| S/5.64 | S/56.40 | |
| S/5.02 | S/502.00 | |
| S/4.09 | S/2,045.00 | |
| S/3.87 | S/3,870.00 | |
| S/3.76 | S/9,400.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| S/3.38 | S/16,900.00 | |

Perú