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TPH3R10AQM,LQ

Name: Toshiba TPH3R10AQM,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH3R10AQMLQ
Price: 9.38 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TPH3R10AQMLQ

Fabricante N.º:

TPH3R10AQM,LQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm

Hoja de datos:

TPH3R10AQM,LQ Hoja de datos (PDF)

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S/-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/9.38	S/9.38
	S/6.07	S/60.70
	S/4.13	S/413.00
	S/3.30	S/1,650.00
	S/3.19	S/3,190.00
	S/3.13	S/7,825.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	S/3.03	S/15,150.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	83 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	210 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	30 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	26 ns
Serie:	U-MOS X-H
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	104 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	45 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

Toshiba 80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs provide high-speed switching, a small gate charge, and low power dissipation. The U-MOS X-H MOSFETs offer an excellent drain-source on-resistance (R_DS(ON)) x transmission resistance x input capacitance (C_iss) value leading to high conductivity and low gate driver losses. The reduced output capacitance (C_OSS) lowers the output charge (Q_OSS), increasing the switching efficiency of these devices. These MOSFETs are suitable for switching voltage regulators, motor drivers, and high-efficiency DC-DC converters.