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TPH1100CQ5,LQ

Name: Toshiba TPH1100CQ5,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH1100CQ5LQ
Price: 11.6 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TPH1100CQ5LQ

Fabricante N.º:

TPH1100CQ5,LQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 11.1mohm

Ciclo de vida:

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	S/11.60	S/11.60
	S/7.51	S/75.10
	S/5.53	S/553.00
	S/4.63	S/2,315.00
	S/4.32	S/4,320.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	S/3.64	S/18,200.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	90 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	38 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	180 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	14 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	13 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	33 ns

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Hoja de datos

TPH1100CQ5,LQ Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TPH1100CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TPH1100CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs feature an 8-pin SMT power MOSFET designed with a U-MOSX-H generation Trench process. The MOSFETs offer improved reverse recovery characteristics, including a fast 36ns reverse recovery time and a 27nC typical reverse recovery charge. The TPH1100CQ5 series reduces power loss in switching power supplies, which increases efficiency in synchronous rectification applications. The Toshiba TPH1100CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs provide low drain-source on-resistance and low leakage current ratings, making them ideal for various power and industrial applications. Typical applications include high-efficiency DC/DC converters, switching voltage regulators, motor drivers, data centers, and communication base systems.

TPH1400CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TPH1400CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs feature an 8-pin SMT power MOSFET designed with a U-MOSX-H generation Trench process. The MOSFETs offer improved reverse recovery characteristics, including a fast 36ns reverse recovery time and a 27nC typical reverse recovery charge. The TPH1400CQ5 series reduces power loss in switching power supplies, which increases efficiency in synchronous rectification applications. The Toshiba TPH1400CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs provide low drain-source on-resistance and low leakage current ratings, making them ideal for various power and industrial applications. Typical applications include high-efficiency DC/DC converters, switching voltage regulators, motor drivers, data centers, and communication base systems.