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TK9J90E,S1E

Name: Toshiba TK9J90E,S1E
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK9J90ES1E
Price: 15.49 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK9J90ES1E

Fabricante N.º:

TK9J90E,S1E

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN

Hoja de datos:

TK9J90E,S1E Hoja de datos (PDF)

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	S/15.49	S/15.49
	S/8.80	S/88.00
	S/7.16	S/716.00
	S/6.23	S/3,115.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-3P
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	900 V
Id - Corriente de drenaje continua:	9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.3 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	46 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MOSVIII
Empaquetado:	Tray
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	JP
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	35 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	40 ns
Serie:	TK9J90E
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	140 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	80 ns
Peso de la unidad:	1.600 g

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Hoja de datos

TK9J90E,S1E Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low R_DS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.