TPS1101D

Texas Instruments
595-TPS1101D
TPS1101D

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1101DR

Modelo ECAD:
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En existencias: 190

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/15.73 S/15.73
S/7.59 S/75.90
S/6.85 S/513.75
S/6.11 S/3,207.75

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
1 Channel
15 V
2.3 A
90 mOhms
- 15 V, 2 V
1.5 V
11.25 nC
- 40 C
+ 150 C
791 mW
Enhancement
Tube
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MX
Tiempo de caída: 5.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 4.3 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5.5 ns
Serie: TPS1101
Cantidad de empaque de fábrica: 75
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 19 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 6.5 ns
Peso de la unidad: 74 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8542390990
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99