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LMG3422R030RQZR

Name: Texas Instruments LMG3422R030RQZR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3422R030RQZR
Price: 46.2 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-LMG3422R030RQZR

Fabricante N.º:

LMG3422R030RQZR

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puertas 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZT

Hoja de datos:

LMG3422R030RQZR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/46.20	S/92,400.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Isolated Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VQFN-54
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	3 Output
Corriente de salida:	1.2 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	7.5 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	18 V
Configuración:	Non-Inverting
Tiempo de subida:	4 ns
Tiempo de caída:	21 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	LMG3422R030
Empaquetado:	Reel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Kit de desarrollo:	LMG342X-BB-EVM
Voltaje de entrada - Máx.:	18 V
Voltaje de entrada - Mín.:	0 V
Tipo lógico:	CMOS
Tiempo de retardo de apagado máximo:	65 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	52 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	30 mOhms
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Nombre comercial:	GaN

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USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

LMG342xR030 GaN Field Effect Transistors (FETs)

Texas Instruments LMG342xR030 GaN Field Effect Transistors (FETs) come with an integrated driver and protection that enables designers to achieve new power density and efficiency levels in power electronics systems.