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CSD88599Q5DCT

Name: Texas Instruments CSD88599Q5DCT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD88599Q5DCT
Price: 23.78 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-CSD88599Q5DCT

Fabricante N.º:

CSD88599Q5DCT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88599Q5DC

Hoja de datos:

CSD88599Q5DCT Hoja de datos

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S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/23.78	S/23.78
	S/16.97	S/169.70
	S/11.52	S/1,152.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	S/11.52	S/2,880.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSON-CLIP-22
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.4 V
Qg - Carga de puerta:	43 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	12 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Serie:	CSD88599Q5DC
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	23 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Peso de la unidad:	100.600 mg

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JPHTS:: 854129000
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ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

CSD88599Q5DC 60V Half-Bridge NexFET Power Block

Texas Instruments CSD88599Q5DC 60V Half-Bridge NexFET Power Block is an optimized design for high-current motor control applications. These applications include handheld, cordless garden, and power tools. The CSD88599Q5DC utilizes TI’s patented stacked die technology to minimize parasitic inductances while offering a complete half-bridge. The device comes in a space-saving thermally enhanced DualCool™ 5mm × 6mm package. With an exposed metal top, this power block device allows for a simple heat sink application to draw heat out through the top of the package and away from the PCB. This design allows for superior thermal performance at the higher currents demanded by many motor control applications.