CSD87503Q3E

Texas Instruments
595-CSD87503Q3E
CSD87503Q3E

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET

Modelo ECAD:
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
S/4.79 S/4.79
S/3.15 S/31.50
S/2.61 S/261.00
S/2.51 S/1,255.00
S/2.42 S/2,420.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
S/2.37 S/5,925.00
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N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
S/6.38
Mín.:
1

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VSON-8
N-Channel
2 Channel
30 V
10 A
17.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
42.8 nC
- 55 C
+ 150 C
15.6 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Dual
País de ensamblaje: CN
País de difusión: CN
País de origen: CN
Tiempo de caída: 8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 24 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 40 ns
Serie: CSD87503Q3E
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 25 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
Peso de la unidad: 29.200 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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