CSD19538Q3AT

Texas Instruments
595-CSD19538Q3AT
CSD19538Q3AT

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A

Modelo ECAD:
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
S/6.62 S/6.62
S/4.55 S/45.50
S/2.81 S/281.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
S/2.81 S/702.50
S/2.38 S/1,190.00
S/2.14 S/2,140.00
S/2.10 S/5,250.00
S/1.93 S/9,650.00
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N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
S/3.85
Mín.:
1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
15 A
61 mOhms
- 20 V, 20 V
3.2 V
4.3 nC
- 55 C
+ 150 C
2.8 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 2 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 3 ns
Serie: CSD19538Q3A
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 7 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 5 ns
Peso de la unidad: 27.300 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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