CSD18535KCS

Texas Instruments
595-CSD18535KCS
CSD18535KCS

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si

Modelo ECAD:
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En pedido:
776
Se espera el 3/03/2026
Plazo de entrega de fábrica:
12
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/14.95 S/14.95
S/7.63 S/76.30
S/6.85 S/685.00
S/5.72 S/2,860.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
279 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.4 V
63 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
NexFET
Tube
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 263 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 3 ns
Serie: CSD18535KCS
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 19 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99