CSD17307Q5A

Texas Instruments
595-CSD17307Q5A
CSD17307Q5A

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

Modelo ECAD:
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Precio ext.:
S/-.--
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Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
S/4.63 S/4.63
S/2.93 S/29.30
S/1.93 S/193.00
S/1.50 S/750.00
S/1.36 S/1,360.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
S/1.21 S/3,025.00
S/1.07 S/5,350.00
S/1.01 S/10,100.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
73 A
10.5 mOhms
- 8 V, 8 V
900 mV
4 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Kit de desarrollo: TPS51123EVM-399, TPS40195EVM-001, TPS51116EVM-001, TPS51125EVM, TPS51220EVM
Tiempo de caída: 2.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 66 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 6.7 ns
Serie: CSD17307Q5A
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 9.3 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 4.6 ns
Peso de la unidad: 100 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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