TSM2N7002AKCU RFG

Taiwan Semiconductor
821-TSM2N7002AKCURFG
TSM2N7002AKCU RFG

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.24A, Single N-Channel Power MOSFET

Modelo ECAD:
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En existencias: 798

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
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S/-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
S/1.09 S/1.09
S/0.732 S/7.32
S/0.463 S/46.30
S/0.288 S/144.00
S/0.226 S/226.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/0.195 S/585.00
S/0.167 S/1,002.00
S/0.144 S/1,296.00
S/0.132 S/3,168.00
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Taiwan Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
60 V
240 mA
2.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
680 pC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Taiwan Semiconductor
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Tiempo de caída: 9.5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 2 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 7.98 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 2.72 ns
Alias de las piezas n.º: TSM2N7002AKCU
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.