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TSM060N03ECP ROG

Name: Taiwan Semiconductor TSM060N03ECP ROG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM060N03ECPROG
Price: 4.9 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM060N03ECPROG

Fabricante N.º:

TSM060N03ECP ROG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 70A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM060N03ECP ROG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/4.90	S/4.90
	S/3.06	S/30.60
	S/2.02	S/202.00
	S/1.60	S/800.00
	S/1.42	S/1,420.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/1.30	S/3,250.00
	S/1.21	S/6,050.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	70 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	11.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	54 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	9.6 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	35.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.5 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM060N03ECP
Peso de la unidad:	330 mg