TSG65N190CR RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSG65N190CRRVG
TSG65N190CR RVG

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 2,993

Existencias:
2,993 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
30 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 2993 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
S/38.19 S/38.19
S/26.31 S/263.10
S/19.58 S/1,958.00
S/17.52 S/8,760.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/17.52 S/52,560.00
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Taiwan Semiconductor
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
PDFN-6
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
190 mOhms
- 7 V, + 7 V
2.6 V
2.2 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
Marca: Taiwan Semiconductor
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Tiempo de caída: 10 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 5 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: Si
Tiempo de retardo de apagado típico: 8 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 5 ns
Alias de las piezas n.º: TSG65N190CR
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Models

SPICE Models

TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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