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BSS138 RFG

Name: Taiwan Semiconductor BSS138 RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-BSS138
Price: 1.4 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-BSS138

Fabricante N.º:

BSS138 RFG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

BSS138 RFG Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/1.40	S/1.40
	S/1.03	S/10.30
	S/0.584	S/58.40
	S/0.393	S/196.50
	S/0.311	S/311.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.269	S/807.00
	S/0.202	S/1,212.00
	S/0.191	S/1,719.00
	S/0.183	S/4,392.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	50 V
Id - Corriente de drenaje continua:	260 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.6 V
Qg - Carga de puerta:	1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	357 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	48 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.8 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	11 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channe
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3 ns
Alias de las piezas n.º:	BSS138
Peso de la unidad:	8 mg

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (R_DS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.