SDS065J050H3-ISATH

Sanan Semiconductor
896-SDS065J050H3ISAT
SDS065J050H3-ISATH

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC 650V 50A, TO247-2L, Industrial Grade

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 300   Múltiples: 30
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/26.16 S/7,848.00
S/23.98 S/12,229.80

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Sanan Semiconductor
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
50 A
650 V
1.35 V
337 A
120 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marca: Sanan Semiconductor
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa: 650 V
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes

Sanan Semiconductor Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) are developed using Sanan’s advanced 3rd generation SiC SBD technology with high performance and reliability. These SBDs register higher efficiency, higher operation temperatures, and lower losses and operate at higher frequencies than Si-based solutions. The Schottky structure shows no recovery at turn-off and allows a low leakage current with a reverse voltage of up to 1200V. It can contribute to system miniaturization and achieve lightweight system design. Using RoHS-compliant components, the Sanan Semiconductor SiC SBDs are qualified for industrial applications.

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