STW68N65DM6-4AG

STMicroelectronics
511-STW68N65DM6-4AG
STW68N65DM6-4AG

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Cantidad Precio unitario
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S/50.17 S/50.17
S/31.22 S/312.20
S/28.03 S/2,803.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
72 A
39 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
118 nC
- 55 C
+ 150 C
480 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 6.080 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr), combined with low RDS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.