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STW56N65DM2

Name: STMicroelectronics STW56N65DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW56N65DM2
Price: 43.63 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STW56N65DM2

Fabricante N.º:

STW56N65DM2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

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	S/43.63	S/43.63
	S/29.04	S/290.40
	S/24.83	S/2,483.00
	S/23.71	S/14,226.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	48 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	58 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	88 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	360 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	7.7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	31 ns
Serie:	STW56N65DM2
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	157 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	28 ns
Peso de la unidad:	6 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.