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STQ2NK60ZR-AP

Name: STMicroelectronics STQ2NK60ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ2NK60ZR-AP
Price: 4.32 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STQ2NK60ZR-AP

Fabricante N.º:

STQ2NK60ZR-AP

Fabricante:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

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	S/4.32	S/4.32
	S/2.68	S/26.80
	S/1.76	S/176.00
	S/1.36	S/680.00
	S/1.27	S/1,270.00
Envase tipo caja "Ammo Pack" completo (pedir en múltiplos de 2000)
	S/1.01	S/2,020.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-92-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	400 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	10 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	45 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperMESH
Empaquetado:	Ammo Pack
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	25 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	30 ns
Serie:	STQ2NK60ZR-AP
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns
Peso de la unidad:	453.600 mg