STP9NM60N
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511-STP9NM60N
STP9NM60N
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR
Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/4.63 | S/4,630.00 |
Hoja de datos
PCN
- MDmesh II Technology, Power MOSFET Transistors, 8" Wafer size Front-end Capacity Extension - Ang Mo Kio (Singapore) (PDF)
- PRODUCT CHANGE NOTIFICATION (PDF)
- Product / Process Change Notification (PDF)
- PRODUCT CHANGE NOTIFICATION (PDF)
- STMicroelectronics - PCN 5-18-10 (PDF)
- TO-220 ECOPACK 2 graded moulding compound assembly capacity expansion - Subcontractor PSI Laguna (Philippines) (PDF)
- CNHTS:
- 8541210000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541210000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
